2SJ652
Magazine Speci ? cation
2SJ652-1E
No.7625-5/7
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2SJ654 制造商:SANYO 功能描述:Pch -100V 240A 315m@10V TO220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 100V 8A TO220ML 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
2SJ655 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SJ655-MG5 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
2SJ656 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SJ657 制造商:SANYO 功能描述:Pch -100V 39A 52m@10V TO220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 100V 25A TO220ML
2SJ658 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Speed Switching Applications
2SJ659 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device